Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 11

2SC2655-Y(T6STL,FM

parte del stock: 7032

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND2,AF

parte del stock: 6995

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND3,AF

parte del stock: 6996

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND1,AF

parte del stock: 6997

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CN,A,F

parte del stock: 7026

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CANOFM

parte del stock: 6951

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

parte del stock: 6790

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

parte del stock: 7001

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

parte del stock: 7046

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SC2655-O,F(J

parte del stock: 7041

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SC2655-O(ND2,AF)

parte del stock: 6981

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

parte del stock: 6736

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 300V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

parte del stock: 6967

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 300V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

parte del stock: 6957

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 160V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

parte del stock: 6977

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 160V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

parte del stock: 7010

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 160V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6USNF(M

parte del stock: 7019

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6KEHF(M

parte del stock: 6713

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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2SC2235-Y,T6F(J

parte del stock: 6953

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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2SC2235-Y,F(J

parte del stock: 7010

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6ASHF(J

parte del stock: 6976

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6OMI,FM

parte del stock: 7020

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6ND,AF

parte del stock: 7033

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,FM

parte del stock: 7003

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,AF

parte del stock: 7043

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CANOFM

parte del stock: 7009

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CN,A,F

parte del stock: 6993

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(MBSH1,FM

parte del stock: 7012

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(DNSO,AF)

parte del stock: 7039

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(6MBH1,AF

parte del stock: 7029

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O,F(J

parte del stock: 6952

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,FM

parte del stock: 6998

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,AF

parte del stock: 6772

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6ASN,FM

parte del stock: 7019

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(FA1,F,M)

parte del stock: 6974

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235(T6KMAT,F,M

parte del stock: 6979

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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