Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 11

2SA1943N(S1,E,S)

parte del stock: 30936

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 15A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

parte del stock: 133517

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

parte del stock: 125949

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

parte del stock: 103394

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

parte del stock: 72

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

parte del stock: 154

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

parte del stock: 155

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

parte del stock: 105735

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

parte del stock: 114972

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

parte del stock: 141073

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

parte del stock: 182069

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

parte del stock: 110660

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 25V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

parte del stock: 194721

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

parte del stock: 146528

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

parte del stock: 123

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

parte del stock: 160315

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

parte del stock: 107

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

parte del stock: 100369

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

parte del stock: 179590

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 300mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 20V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

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2SC4116-BL,LF

parte del stock: 124685

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

parte del stock: 122917

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

parte del stock: 134403

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

parte del stock: 189199

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

parte del stock: 172547

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

parte del stock: 135662

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 80V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

parte del stock: 106998

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

parte del stock: 515

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 15A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

parte del stock: 22703

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 15A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

parte del stock: 22767

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 15A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

parte del stock: 30915

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 15A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

parte del stock: 7061

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 300V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

parte del stock: 7009

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

parte del stock: 7019

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

parte del stock: 7049

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

parte del stock: 7066

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

parte del stock: 6988

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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