Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo, Pre-polar

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Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo, Pre-polar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115,LF(CT

parte del stock: 116693

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1426TE85LF

parte del stock: 126115

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1401,LF

parte del stock: 151885

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111,LF(CT

parte del stock: 113

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2317(TE85L,F)

parte del stock: 180586

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1130MFV,L3F

parte del stock: 140527

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 100 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108MFV,L3F

parte del stock: 149

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2103(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103(T5L,F,T)

parte del stock: 2147

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104T5LFT

parte del stock: 2144

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1409,LF

parte del stock: 120898

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2302,LF

parte del stock: 145

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2403,LF

parte del stock: 88

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110MFV,L3F

parte del stock: 174

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1427TE85LF

parte del stock: 108821

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1315,LF

parte del stock: 166

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2412TE85LF

parte del stock: 119344

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2409,LF

parte del stock: 182087

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2109ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109ACT(TPL3)

parte del stock: 2148

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 80mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1307,LF

parte del stock: 145

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1302,LF

parte del stock: 2227

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2308(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2308(TE85L,F)

parte del stock: 2150

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1422TE85LF

parte del stock: 124907

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

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RN1114(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114(T5L,F,T)

parte del stock: 2223

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109,LF(CT

parte del stock: 140640

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2116,LF(CT

parte del stock: 149505

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1110ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110ACT(TPL3)

parte del stock: 3291

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 80mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310(TE85L,F)

parte del stock: 174145

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102,LF(CT

parte del stock: 105795

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111MFV,L3F

parte del stock: 125

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2427TE85LF

parte del stock: 131174

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1442ATE85LF

parte del stock: 2201

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 300mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 20V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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RN2304(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2304(TE85L,F)

parte del stock: 192778

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

De deseos

RN1116(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116(TE85L,F)

parte del stock: 2175

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309(TE85L,F)

parte del stock: 2140

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2318(TE85L,F)

parte del stock: 150561

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos

RN1113ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113ACT(TPL3)

parte del stock: 2200

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 80mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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