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Transistores - Bipolar (BJT) - RF

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2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

parte del stock: 144

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Ganar: 13dB, Potencia - Max: 150mW,

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2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

parte del stock: 170

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Ganar: 11dB, Potencia - Max: 150mW,

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2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

parte del stock: 171976

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Frecuencia - Transición: 550MHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Ganar: 17dB ~ 23dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

parte del stock: 111075

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

parte del stock: 128600

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Ganar: 11dB ~ 16.5dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

parte del stock: 121034

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

parte del stock: 190

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

parte del stock: 170

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

parte del stock: 187

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 10V, Frecuencia - Transición: 10GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Ganar: 13dB ~ 7dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

parte del stock: 173074

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

parte del stock: 128

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 10V, Frecuencia - Transición: 10GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Ganar: 13dB ~ 7.5dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

parte del stock: 124837

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Frecuencia - Transición: 550MHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Ganar: 17dB ~ 23dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

parte del stock: 152602

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Ganar: 11dB, Potencia - Max: 150mW,

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2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

parte del stock: 162523

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Potencia - Max: 150mW,

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2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

parte del stock: 133840

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potencia - Max: 100mW,

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2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

parte del stock: 132303

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Frecuencia - Transición: 550MHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Ganar: 23dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

parte del stock: 156257

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 8GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Potencia - Max: 150mW,

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2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

parte del stock: 190913

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Ganar: 12dB ~ 17dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

parte del stock: 167393

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Frecuencia - Transición: 550MHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Ganar: 23dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

parte del stock: 7295

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Ganar: 18dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

parte del stock: 4783

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 10V, Frecuencia - Transición: 6GHz, Ganar: 11dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

parte del stock: 7101

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Frecuencia - Transición: 550MHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Ganar: 17dB ~ 23dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

parte del stock: 7064

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 10V, Frecuencia - Transición: 10GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Ganar: 1.4dB, Potencia - Max: 100mW,

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2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

parte del stock: 160292

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Frecuencia - Transición: 550MHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Ganar: 23dB, Potencia - Max: 100mW,

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MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

parte del stock: 91

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 6V, Frecuencia - Transición: 11.5GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Ganar: 12dB, Potencia - Max: 700mW,

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MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

parte del stock: 18982

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 6V, Frecuencia - Transición: 8GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Ganar: 10.5dB, Potencia - Max: 1W,

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MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

parte del stock: 4314

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 5.3V, Frecuencia - Transición: 7.7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Ganar: 10.5dB, Potencia - Max: 1.6W,

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MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

parte del stock: 9921

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 5.3V, Frecuencia - Transición: 12.5GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Ganar: 11.8dB, Potencia - Max: 800mW,

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MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

parte del stock: 4313

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Ganar: 16.5dB, Potencia - Max: 1.8W,

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MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

parte del stock: 135

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Ganar: 12dB, Potencia - Max: 900mW,

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MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

parte del stock: 9992

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 5.3V, Frecuencia - Transición: 11.2GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Ganar: 12.5dB, Potencia - Max: 900mW,

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MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

parte del stock: 176440

Tipo de transistor: NPN, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 5V, Frecuencia - Transición: 4GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Ganar: 4.5dBi, Potencia - Max: 100mW,

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HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

parte del stock: 7065

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 12V, Frecuencia - Transición: 7GHz, Figura de ruido (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Ganar: 11.5dB, Potencia - Max: 200mW,

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