Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

parte del stock: 152609

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

parte del stock: 98

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

parte del stock: 124

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

parte del stock: 114931

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

parte del stock: 137653

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

parte del stock: 153875

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

parte del stock: 9987

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

parte del stock: 115889

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

parte del stock: 4365

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

parte del stock: 167758

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

parte del stock: 115887

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 300mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 20V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

parte del stock: 179411

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

parte del stock: 4432

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

parte del stock: 124168

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corriente: corte del colector (máx.): 50µA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

parte del stock: 104094

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

parte del stock: 147055

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

parte del stock: 104803

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

parte del stock: 104

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

parte del stock: 184759

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

parte del stock: 4437

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

parte del stock: 4500

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

parte del stock: 4488

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

parte del stock: 184335

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

parte del stock: 4476

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

parte del stock: 4401

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corriente: corte del colector (máx.): 50µA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

parte del stock: 6508

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

De deseos

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

parte del stock: 151500

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

parte del stock: 4471

Tipo de transistor: 8 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

parte del stock: 9945

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 300mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 20V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

parte del stock: 111105

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

parte del stock: 4492

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 30V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

parte del stock: 4430

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corriente: corte del colector (máx.): 50µA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

parte del stock: 76

Tipo de transistor: NPN, PNP (Emitter Coupled), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

parte del stock: 4464

Tipo de transistor: 8 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

parte del stock: 4503

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

parte del stock: 9904

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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