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Transistores - JFET

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2SK879-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-Y(TE85L,F)

parte del stock: 198791

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 400mV @ 100nA,

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2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

parte del stock: 405

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 200mV @ 100nA,

De deseos
2SK879-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

parte del stock: 389

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 400mV @ 100nA,

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2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

parte del stock: 342

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 400mV @ 100nA,

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2SK208-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

parte del stock: 340

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 400mV @ 100nA,

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2SK2145-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

parte del stock: 123563

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 200mV @ 100nA,

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2SK880-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

parte del stock: 403

Tipo de FET: N-Channel, Voltaje - Ruptura (V (BR) GSS): 50V, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 1.5V @ 100nA,

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2SK880GRTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

parte del stock: 100454

Tipo de FET: N-Channel, Voltaje - Ruptura (V (BR) GSS): 50V, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 1.5V @ 100nA,

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2SK208-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

parte del stock: 407

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 400mV @ 100nA,

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2SK3320-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

parte del stock: 9964

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 200mV @ 100nA,

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2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

parte del stock: 177718

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 200mV @ 100nA,

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2SK208-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

parte del stock: 9975

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 400mV @ 100nA,

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2SK3320-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

parte del stock: 3488

Tipo de FET: N-Channel, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 200mV @ 100nA,

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2SK880-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

parte del stock: 110749

Tipo de FET: N-Channel, Voltaje - Ruptura (V (BR) GSS): 50V, Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 1.5V @ 100nA,

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