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Diodos: capacitancia variable (varicaps, varactore

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1SV324TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV324TPH3F

parte del stock: 185359

Capacitancia @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 4.3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV277TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV277TPH3F

parte del stock: 196616

Capacitancia @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV229TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV229TPH3F

parte del stock: 137721

Capacitancia @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.5, Condición de relación de capacitancia: C2/C10, Voltaje: pico inverso (máx.): 15V, Tipo de diodo: Single,

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1SV304TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV304TPH3F

parte del stock: 112795

Capacitancia @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV310TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV310TPH3F

parte del stock: 155615

Capacitancia @ Vr, F: 5.45pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.1, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV279,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV279,H3F

parte del stock: 171

Capacitancia @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.5, Condición de relación de capacitancia: C2/C10, Voltaje: pico inverso (máx.): 15V, Tipo de diodo: Single,

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1SV270TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV270TPH3F

parte del stock: 199585

Capacitancia @ Vr, F: 8.7pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV325,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV325,H3F

parte del stock: 113697

Capacitancia @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 4.3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV228TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV228TPH3F

parte del stock: 173745

Capacitancia @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.6, Condición de relación de capacitancia: C3/C8, Voltaje: pico inverso (máx.): 15V, Tipo de diodo: 1 Pair Common Cathode,

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1SV322(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV322(TPH3,F)

parte del stock: 134786

Capacitancia @ Vr, F: 7.1pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 4.3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV239TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV239TPH3F

parte del stock: 138496

Capacitancia @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.4, Condición de relación de capacitancia: C2/C10, Voltaje: pico inverso (máx.): 15V, Tipo de diodo: Single,

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1SV323,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV323,H3F

parte del stock: 196969

Capacitancia @ Vr, F: 7.1pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 4.3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV281(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV281(TPH3,F)

parte del stock: 113541

Capacitancia @ Vr, F: 8.7pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV280,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV280,H3F

parte del stock: 138179

Capacitancia @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.4, Condición de relación de capacitancia: C2/C10, Voltaje: pico inverso (máx.): 15V, Tipo de diodo: Single,

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1SV311(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV311(TPH3,F)

parte del stock: 4833

Capacitancia @ Vr, F: 5.45pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.1, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV282TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV282TPH3F

parte del stock: 128246

Capacitancia @ Vr, F: 3pF @ 25V, 1MHz, Relación de capacitancia: 12.5, Condición de relación de capacitancia: C2/C25, Voltaje: pico inverso (máx.): 34V, Tipo de diodo: Single,

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1SV285TPH3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV285TPH3F

parte del stock: 158213

Capacitancia @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV305,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV305,H3F

parte del stock: 188801

Capacitancia @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz, Relación de capacitancia: 3, Condición de relación de capacitancia: C1/C4, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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1SV314(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SV314(TPL3,F)

parte del stock: 7384

Capacitancia @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz, Relación de capacitancia: 2.5, Condición de relación de capacitancia: C0.5/C2.5, Voltaje: pico inverso (máx.): 10V, Tipo de diodo: Single,

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