Diodos - Rectificadores - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 6

CUS05S30,H3F

parte del stock: 141424

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 100mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

parte del stock: 175222

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 230mV @ 100mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

parte del stock: 21594

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 10V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10mA (DC), Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

parte del stock: 122854

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

parte del stock: 159042

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

parte del stock: 172576

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

parte del stock: 158502

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

parte del stock: 114342

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 100mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

parte del stock: 155708

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 100mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 100mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

parte del stock: 159752

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

parte del stock: 139868

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 100mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

parte del stock: 11358

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

parte del stock: 144392

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

parte del stock: 184133

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

parte del stock: 139204

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

parte del stock: 121678

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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CRS08(TE85L,Q,M)

parte del stock: 183971

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

parte del stock: 104302

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

parte del stock: 164330

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS05(TE12L,Q,M)

parte del stock: 112076

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS08F30,H3F

parte del stock: 193256

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 800mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 220mV @ 10mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CBS10F40,L3F

parte del stock: 8420

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10F40,H3F

parte del stock: 4875

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

parte del stock: 181235

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 280mV @ 10mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05F40,H3F

parte del stock: 4923

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

parte del stock: 151245

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

parte del stock: 8357

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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