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Diodos - Rectificadores - Sencillo

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CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

parte del stock: 117

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

parte del stock: 100

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

parte del stock: 88

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 3V @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 100ns,

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CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

parte del stock: 166057

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

parte del stock: 177271

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

parte del stock: 79

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

parte del stock: 163

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

parte del stock: 194437

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 100ns,

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CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

parte del stock: 185173

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

parte del stock: 157727

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 700mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 700mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 100ns,

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CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

parte del stock: 160805

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

parte del stock: 142

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

parte del stock: 160837

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

parte del stock: 187277

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

parte del stock: 192

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

parte del stock: 104522

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

parte del stock: 152

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

parte del stock: 178640

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

parte del stock: 160204

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

parte del stock: 5730

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

parte del stock: 236

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

parte del stock: 113027

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

parte del stock: 200

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 700mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

parte del stock: 182845

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

parte del stock: 177

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

parte del stock: 158

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

parte del stock: 162

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 100ns,

De deseos
CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

parte del stock: 175

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 700mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 700mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

parte del stock: 154

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 700mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

parte del stock: 159

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

parte del stock: 168712

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

parte del stock: 153282

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

parte del stock: 171

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

parte del stock: 187

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

parte del stock: 184

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 100ns,

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CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

parte del stock: 172

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

De deseos