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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-polar

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RN4908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4908(T5L,F,T)

parte del stock: 1464

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2510(TE85L,F)

parte del stock: 165485

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2963FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2963FE(TE85L,F)

parte del stock: 1465

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1971TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1971TE85LF

parte del stock: 155643

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2702TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2702TE85LF

parte del stock: 1499

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1970(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970(TE85L,F)

parte del stock: 141176

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904,LF

parte del stock: 127121

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904FE,LF

parte del stock: 157116

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2969FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2969FE(TE85L,F)

parte del stock: 1479

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902T5LFT

parte del stock: 1369

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906(T5L,F,T)

parte del stock: 1511

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN49A1(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN49A1(T5L,F,T)

parte del stock: 1486

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911(T5L,F,T)

parte del stock: 1493

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN4909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4909(T5L,F,T)

parte del stock: 1458

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1673(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1673(TE85L,F)

parte del stock: 1534

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1606(TE85L,F)

parte del stock: 9937

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4611(TE85L,F)

parte del stock: 141210

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

parte del stock: 3152

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1704JE(TE85L,F)

parte del stock: 146002

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1966FE(TE85L,F)

parte del stock: 140649

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4605(TE85L,F)

parte del stock: 128492

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF

parte del stock: 1491

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4991(T5L,F,T)

parte del stock: 171762

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906(T5L,F,T)

parte del stock: 1452

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2967FE(TE85L,F)

parte del stock: 1533

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4981,LF(CT

parte del stock: 159039

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904(T5L,F,T)

parte del stock: 3155

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2970FE(TE85L,F)

parte del stock: 1533

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1904FE,LF(CT

parte del stock: 146960

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2506(TE85L,F)

parte del stock: 140285

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909FE(TE85L,F)

parte del stock: 142836

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904,LF

parte del stock: 1534

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971FE(TE85L,F)

parte del stock: 1487

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN2902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE,LF(CT

parte del stock: 175632

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN4907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4907(T5L,F,T)

parte del stock: 1537

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965FE(TE85L,F)

parte del stock: 1382

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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