Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

parte del stock: 155661

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

parte del stock: 100168

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

parte del stock: 117289

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN2A01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

parte del stock: 155823

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN4C51J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

parte del stock: 171

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Common Base, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2C01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

parte del stock: 167274

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

parte del stock: 141983

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2C01FU-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

parte del stock: 156520

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

parte del stock: 4654

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

parte del stock: 124479

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN2A01FU-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

parte del stock: 4497

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

parte del stock: 4567

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

parte del stock: 178604

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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TPC6901(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

parte del stock: 149134

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, 700mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

parte del stock: 133632

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

parte del stock: 4470

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

parte del stock: 4484

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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TPCP8701(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

parte del stock: 131

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 80V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

parte del stock: 4503

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corriente: corte del colector (máx.): 50µA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

parte del stock: 154422

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2A01FE-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

parte del stock: 4508

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

parte del stock: 175513

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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