Menu
españolespañol
RFQ / orden
0RFQ / orden

Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo, Pre-polar

  • Casa
  •  
  • Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo, Pre-polar
RN2422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2422TE85LF

parte del stock: 150924

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

De deseos
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105MFV,L3F

parte del stock: 132067

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1416,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1416,LF

parte del stock: 133985

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117MFV,L3F

parte del stock: 185

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2301,LF

parte del stock: 142431

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1312(TE85L,F)

parte del stock: 100942

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1314(TE85L,F)

parte del stock: 151760

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1110,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110,LF(CT

parte del stock: 121856

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN1403,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1403,LF

parte del stock: 109

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1421TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1421TE85LF

parte del stock: 136591

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 1 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

De deseos
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108(T5L,F,T)

parte del stock: 2133

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1131MFV(TL3,T)

parte del stock: 3290

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN2405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2405,LF

parte del stock: 121

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1418(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1418(TE85L,F)

parte del stock: 2164

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1415(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1415(TE85L,F)

parte del stock: 109269

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1424TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1424TE85LF

parte del stock: 195582

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

De deseos
RN1423TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1423TE85LF

parte del stock: 181577

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

De deseos
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1317(TE85L,F)

parte del stock: 179199

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1417(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1417(TE85L,F)

parte del stock: 102201

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1114MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114MFV,L3F

parte del stock: 180

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1425TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1425TE85LF

parte del stock: 187011

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 470 Ohms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

De deseos
RN1101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101,LF(CT

parte del stock: 133670

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1102T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102T5LFT

parte del stock: 2168

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2401,LF

parte del stock: 151

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118MFV(TPL3)

parte del stock: 2128

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2115MFV,L3F

parte del stock: 173

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1311,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1311,LF

parte del stock: 137

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV(TPL3)

parte del stock: 103895

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2310,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310,LF

parte del stock: 188190

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN2314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2314(TE85L,F)

parte del stock: 144122

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN2114MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114MFV,L3F

parte del stock: 157

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1318(TE85L,F)

parte del stock: 168872

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

parte del stock: 161993

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1313(TE85L,F)

parte del stock: 191183

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

De deseos
RN1103,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103,LF(CT

parte del stock: 141203

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

De deseos
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV,L3F

parte del stock: 140595

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

De deseos