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Memoria

BR24G02FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR24G02FVM-3GTTR

parte del stock: 103563

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G01FJ-3GTE2

parte del stock: 190320

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G02FJ-3GTE2

parte del stock: 164829

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G02FVJ-3GTE2

parte del stock: 144108

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G56F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR93G56F-3GTE2

parte del stock: 10786

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G46F-3BGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G46F-3BGTE2

parte del stock: 52

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (64 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR24G04FVM-3AGTTR

parte del stock: 125423

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G46NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor

BR93G46NUX-3ATTR

parte del stock: 121

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (64 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR24G08NUX-3TTR

parte del stock: 171646

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor

BR24G04NUX-3ATTR

parte del stock: 121681

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T02FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T02FV-WE2

parte del stock: 177059

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04F-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G04F-3AGTE2

parte del stock: 192640

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01F-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G01F-3AGTE2

parte del stock: 117987

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR24G02FVM-3AGTTR

parte del stock: 191525

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR24G01FVT-3AGE2

parte del stock: 102116

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G16FV-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G16FV-3GTE2

parte del stock: 199942

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G08F-3GTE2

parte del stock: 198537

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BRCF016GWZ-3E2
Rohm Semiconductor

BRCF016GWZ-3E2

parte del stock: 9914

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor

BR24G02NUX-3ATTR

parte del stock: 157144

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor

BR24G01NUX-3ATTR

parte del stock: 179444

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR24G02NUX-3TTR

parte del stock: 151261

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G04F-3GTE2

parte del stock: 178809

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G16FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR24G16FVT-3GE2

parte del stock: 129852

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR24G02FVT-3AGE2

parte del stock: 189915

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08FV-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G08FV-3GTE2

parte del stock: 145932

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR24G08FVT-3GE2

parte del stock: 168008

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T02FV-WGE2
Rohm Semiconductor

BR24T02FV-WGE2

parte del stock: 73

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04FV-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G04FV-3GTE2

parte del stock: 194009

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G01F-3GTE2

parte del stock: 135976

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR24G01FVT-3GE2

parte del stock: 159146

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR24G01FVM-3GTTR

parte del stock: 138288

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02FV-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G02FV-3GTE2

parte del stock: 114618

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR24G01NUX-3TTR

parte del stock: 106614

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR24G02FVT-3GE2

parte del stock: 104066

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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MSM5117400F-60J3FAR1
Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60J3FAR1

parte del stock: 4252

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnología: DRAM, Tamaño de la memoria: 16Mb (4M x 4), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 110ns,

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MSM5117400F-60T3DR1
Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60T3DR1

parte del stock: 4261

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnología: DRAM, Tamaño de la memoria: 16Mb (4M x 4), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 110ns,

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