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Memoria

BR24T02FVT-WGE2
Rohm Semiconductor

BR24T02FVT-WGE2

parte del stock: 184955

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T02FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T02FVT-WE2

parte del stock: 124936

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T01F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T01F-WE2

parte del stock: 168236

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G01FVJ-3AGTE2

parte del stock: 134792

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR24G04FVT-3GE2

parte del stock: 148555

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G08FVJ-3GTE2

parte del stock: 153672

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T08FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T08FVT-WE2

parte del stock: 183334

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR24G04NUX-3TTR

parte del stock: 175666

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G04FVJ-3AGTE2

parte del stock: 119702

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T04F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T04F-WE2

parte del stock: 193844

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T02F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T02F-WE2

parte del stock: 138939

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T04FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T04FVT-WE2

parte del stock: 122889

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G56NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR93G56NUX-3TTR

parte del stock: 121522

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G56NUX-3BTTR
Rohm Semiconductor

BR93G56NUX-3BTTR

parte del stock: 173249

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (128 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G56NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor

BR93G56NUX-3ATTR

parte del stock: 173453

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (128 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G16FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR24G16FVM-3AGTTR

parte del stock: 113880

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G16FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR24G16FVT-3AGE2

parte del stock: 180379

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G08FJ-3GTE2

parte del stock: 166592

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor

BR24G08NUX-3ATTR

parte del stock: 199861

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G66FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR93G66FVM-3GTTR

parte del stock: 10000

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (256 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G46FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR93G46FVM-3AGTTR

parte del stock: 16209

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (64 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G46FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR93G46FVM-3GTTR

parte del stock: 75

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (64 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G66FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR93G66FVM-3AGTTR

parte del stock: 9995

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (256 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G04FVJ-3GTE2

parte del stock: 159729

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T04FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T04FJ-WE2

parte del stock: 136004

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24T02FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T02FJ-WE2

parte del stock: 163597

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR24G08FVM-3GTTR

parte del stock: 154900

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08F-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G08F-3AGTE2

parte del stock: 125107

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G66FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR93G66FVT-3GE2

parte del stock: 9932

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (256 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G01FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G01FVJ-3GTE2

parte del stock: 139177

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G04FJ-3GTE2

parte del stock: 143103

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR24G08FVM-3AGTTR

parte del stock: 120183

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G08FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR24G08FVT-3AGE2

parte del stock: 137688

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR93G66NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR93G66NUX-3TTR

parte del stock: 72

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (256 x 16), Frecuencia de reloj: 3MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G02FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G02FVJ-3AGTE2

parte del stock: 154754

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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BR24G04FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR24G04FVM-3GTTR

parte del stock: 141371

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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