Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 5

BSM180D12P3C007

parte del stock: 168

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

BSM300D12P2E001

parte del stock: 201

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 68mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

BSM080D12P2C008

parte del stock: 263

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

BSM120D12P2C005

parte del stock: 258

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

BSM180D12P2C101

parte del stock: 243

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 204A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

VT6J1T2CR

parte del stock: 168368

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

De deseos

Rohm Semiconductor

EM6K31T2R

parte del stock: 181152

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

EM6K31GT2R

parte del stock: 153168

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

VT6M1T2CR

parte del stock: 125142

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

De deseos

Rohm Semiconductor

EM6J1T2R

parte del stock: 109230

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8J13TCR

parte del stock: 181566

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

US6J11TR

parte del stock: 145887

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8J11TCR

parte del stock: 175857

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8M24FRATB

parte del stock: 109

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 45V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, 63 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8M51FRATB

parte del stock: 152

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), 2.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8M3TR

parte del stock: 154779

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, 2.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

HP8KA1TB

parte del stock: 113065

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8K22FRATB

parte del stock: 87

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 45V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8K33FRATB

parte del stock: 149

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8K1TR

parte del stock: 171251

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8K11TCR

parte del stock: 195555

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8K52FRATB

parte del stock: 115

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8J3TR

parte del stock: 193760

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8K32FRATB

parte del stock: 80

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

HP8S36TB

parte del stock: 130641

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 27A, 80A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

US6K1TR

parte del stock: 126806

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

US6M2GTR

parte del stock: 127

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, 1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

HS8K11TB

parte del stock: 188805

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 11A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8K2TR

parte del stock: 164928

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8M2TR

parte del stock: 126279

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8M5FRATB

parte del stock: 154

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8M6FRATB

parte del stock: 153

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8M21FRATB

parte del stock: 70

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 45V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

parte del stock: 123

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 45V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

TT8J2TR

parte del stock: 170382

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos

Rohm Semiconductor

US6K2TR

parte del stock: 124293

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

De deseos