Menu
españolespañol
RFQ / orden
0RFQ / orden

Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-polar

  • Casa
  •  
  • Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-polar
MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5134DW1T1G

parte del stock: 90827

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5231DW1T1G

parte del stock: 137429

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

De deseos
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor

EMF5XV6T5G

parte del stock: 186407

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, 12V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

De deseos
NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1G

parte del stock: 192037

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1

parte del stock: 1432

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TDP6T5G

parte del stock: 145523

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5135DW1T1G

parte del stock: 164885

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NUS2401SNT1
ON Semiconductor

NUS2401SNT1

parte del stock: 1477

Tipo de transistor: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 200mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms,

De deseos
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T1G

parte del stock: 182836

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDP6T5G

parte del stock: 114384

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB144EPDXV6T1G

parte del stock: 165773

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T5G

parte del stock: 1529

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1

parte del stock: 1497

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

De deseos
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor

NUS2401SNT1G

parte del stock: 172039

Tipo de transistor: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 200mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 175 Ohms, 10 kOhms,

De deseos
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM11156DW6T1G

parte del stock: 3218

Tipo de transistor: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, 65V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

De deseos
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1

parte del stock: 1482

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1

parte del stock: 3141

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 150mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1G

parte del stock: 163042

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EPDP6T5G

parte del stock: 123578

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1

parte del stock: 1438

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDP6T5G

parte del stock: 164714

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T1G

parte del stock: 190768

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T5G

parte del stock: 134086

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5211DW1T1
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1

parte del stock: 1438

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1G

parte del stock: 1489

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5137DW1T1
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1

parte del stock: 1469

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1G

parte del stock: 106805

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5336DW1T1G

parte del stock: 9982

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 100 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1

parte del stock: 1469

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T1G

parte del stock: 189012

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
UMC2NT1
ON Semiconductor

UMC2NT1

parte del stock: 1476

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1

parte del stock: 1420

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC4DXV5T1G

parte del stock: 149530

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G

parte del stock: 138481

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T5

parte del stock: 1490

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 1 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1G

parte del stock: 190887

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

De deseos