Menu
españolespañol
RFQ / orden
0RFQ / orden

Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-polar

  • Casa
  •  
  • Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-polar
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5331DW1T1G

parte del stock: 1460

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1

parte del stock: 1467

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 1 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JDP6T5G

parte del stock: 161656

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1

parte del stock: 1530

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor

MUN5333DW1T1

parte del stock: 1513

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC144EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EDXV6T1G

parte del stock: 157107

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5235DW1T1
ON Semiconductor

MUN5235DW1T1

parte del stock: 1487

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123TPDP6T5G

parte del stock: 144483

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T3G

parte del stock: 114310

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1G

parte del stock: 183961

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1G

parte del stock: 115589

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor

EMD5DXV6T1

parte del stock: 1409

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1

parte del stock: 1419

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1G

parte del stock: 180737

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1

parte del stock: 1420

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 1 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor

NSTB1002DXV5T1

parte del stock: 1514

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, 200mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, 40V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

De deseos
MUN5234DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5234DW1T1G

parte del stock: 1437

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1G

parte del stock: 25827

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDP6T5G

parte del stock: 106367

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124XDXV6T1

parte del stock: 1489

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T2G

parte del stock: 105116

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1G

parte del stock: 142403

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1

parte del stock: 1515

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

De deseos
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5233DW1T1G

parte del stock: 139425

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
SMUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T1G

parte del stock: 106685

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T5G

parte del stock: 126380

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1G

parte del stock: 3146

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA115EDXV6T1G

parte del stock: 107413

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 100 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T1G

parte del stock: 104326

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5

parte del stock: 1473

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDP6T5G

parte del stock: 129909

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5G

parte del stock: 1467

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1

parte del stock: 1456

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5330DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5330DW1T1G

parte del stock: 161630

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 1 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EPDP6T5G

parte del stock: 172427

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

De deseos
MUN5135DW1T1
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1

parte del stock: 1492

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos