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Transistores - Unijunction programable

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2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

parte del stock: 2509

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 600mV, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 25µA,

De deseos
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

parte del stock: 2537

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 600mV, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 25µA,

De deseos
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

parte del stock: 2538

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 1.6V, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

parte del stock: 2531

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 600mV, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

parte del stock: 2482

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 1.6V, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

parte del stock: 2534

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 600mV, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

parte del stock: 2493

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 1.6V, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

parte del stock: 2505

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 600mV, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

parte del stock: 2518

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 1.6V, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

parte del stock: 2522

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 600mV, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

parte del stock: 2457

Voltaje: 40V, Disipación de energía (máx.): 300mW, Voltaje - Salida: 11V, Voltaje - Desplazamiento (Vt): 1.6V, Corriente - Fuga de puerta a ánodo (Igao): 10nA, Corriente - Valle (Iv): 50µA,

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