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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-polar

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NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

parte del stock: 106381

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

parte del stock: 184838

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

parte del stock: 197856

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

parte del stock: 194293

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5113DW1T1G

parte del stock: 148914

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1G

parte del stock: 131393

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

NSVEMC2DXV5T1G

parte del stock: 130286

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV6T1G

parte del stock: 182892

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114TDP6T5G

parte del stock: 112312

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5235DW1T1G

parte del stock: 108992

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114YDXV6T1G

parte del stock: 169568

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5332DW1T1G

parte del stock: 104439

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T3G

parte del stock: 123032

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T5G

parte del stock: 155754

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5213DW1T1G

parte del stock: 151695

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144WPDP6T5G

parte del stock: 156563

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EDP6T5G

parte del stock: 168274

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G

parte del stock: 116755

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V,

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MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T2G

parte del stock: 134631

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

parte del stock: 103833

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G

parte del stock: 184027

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC144EPDXV6T1G

parte del stock: 125769

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T5G

parte del stock: 126783

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5216DW1T1G

parte del stock: 155827

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

SSVMUN5312DW1T2G

parte del stock: 122645

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5137DW1T1G

parte del stock: 139504

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5133DW1T1G

parte del stock: 198374

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143TPDXV6T1G

parte del stock: 138721

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5112DW1T1G

parte del stock: 126017

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

De deseos
SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T3G

parte del stock: 191285

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5213DW1T3G

parte del stock: 119417

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1G

parte del stock: 174121

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YDXV6T1G

parte del stock: 192965

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114EDXV6T1G

parte del stock: 195403

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T5G

parte del stock: 170353

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

De deseos
NSBC144EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EPDP6T5G

parte del stock: 141890

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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