Diodos - Rectificadores - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

BYG24G-M3/TR

parte del stock: 160213

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

parte del stock: 141773

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

parte del stock: 131968

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

parte del stock: 182415

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

parte del stock: 178714

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

parte del stock: 104636

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

parte del stock: 136458

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

parte del stock: 128490

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

parte del stock: 129800

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

parte del stock: 120649

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

parte del stock: 155324

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

parte del stock: 188118

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

parte del stock: 135545

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

parte del stock: 137182

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

parte del stock: 196477

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

parte del stock: 116559

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

parte del stock: 167113

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

parte del stock: 151425

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

parte del stock: 167334

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

parte del stock: 177836

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

parte del stock: 116100

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

parte del stock: 126510

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

parte del stock: 113240

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

parte del stock: 197556

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

parte del stock: 112695

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

parte del stock: 164441

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

parte del stock: 174425

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

parte del stock: 199071

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

parte del stock: 120482

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

parte del stock: 162395

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

parte del stock: 109092

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

parte del stock: 111717

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

parte del stock: 162156

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

parte del stock: 131985

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

parte del stock: 142403

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

parte del stock: 178334

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos