Diodos - Rectificadores - Sencillo

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Diodos - Rectificadores - Sencillo

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR

parte del stock: 194309

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/H

parte del stock: 192644

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR3

parte del stock: 125355

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/H

parte del stock: 131683

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/H

parte del stock: 113290

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/I

parte del stock: 185055

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR3

parte del stock: 180703

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR3

parte del stock: 162491

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/H

parte del stock: 132072

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/H

parte del stock: 136967

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR

parte del stock: 178639

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR3

parte del stock: 156019

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/I

parte del stock: 190141

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/I

parte del stock: 171388

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/I

parte del stock: 102534

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR3

parte del stock: 173966

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/I

parte del stock: 115903

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I

parte del stock: 182526

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H

parte del stock: 172130

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/I

parte del stock: 108801

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR3

parte del stock: 111269

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/I

parte del stock: 118403

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR3

parte del stock: 119326

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR

parte del stock: 190073

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR3

parte del stock: 103238

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR3

parte del stock: 180365

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR

parte del stock: 170299

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/H

parte del stock: 116233

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/H

parte del stock: 112902

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/I

parte del stock: 132466

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-M3/TR3

parte del stock: 181386

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H

parte del stock: 194033

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/I

parte del stock: 123257

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR3

parte del stock: 130377

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR3

parte del stock: 175101

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/H

parte del stock: 102483

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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