Diodos - Rectificadores - Sencillo

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Diodos - Rectificadores - Sencillo

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

parte del stock: 183725

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

parte del stock: 115069

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

parte del stock: 197411

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

parte del stock: 133472

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

parte del stock: 189054

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

parte del stock: 154231

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

parte del stock: 129432

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

parte del stock: 181553

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

parte del stock: 177768

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

parte del stock: 144093

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

parte del stock: 138230

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

parte del stock: 163164

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

parte del stock: 107656

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

parte del stock: 135582

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

parte del stock: 187643

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

parte del stock: 141453

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

parte del stock: 151105

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

parte del stock: 110757

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

parte del stock: 163338

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

parte del stock: 160116

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

parte del stock: 174275

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

parte del stock: 159460

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

parte del stock: 116335

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

parte del stock: 199885

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

parte del stock: 187956

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

parte del stock: 199372

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

parte del stock: 176378

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

parte del stock: 183930

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

parte del stock: 155546

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

parte del stock: 125757

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

parte del stock: 196711

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

parte del stock: 186120

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

parte del stock: 139157

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

parte del stock: 185358

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

parte del stock: 310

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

parte del stock: 195437

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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