| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 204A (Tc) |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| Potencia - Max | 1130W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Estuche | Module |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Module |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
