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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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NTMFS4834NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4834NT3G

parte del stock: 6124

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), 130A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

De deseos
FDMS8662
ON Semiconductor

FDMS8662

parte del stock: 497

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Ta), 49A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 28A, 10V,

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HUFA76609D3ST
ON Semiconductor

HUFA76609D3ST

parte del stock: 6066

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10A, 10V,

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FDFMA2P857
ON Semiconductor

FDFMA2P857

parte del stock: 395

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V,

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NTD4813NH-1G
ON Semiconductor

NTD4813NH-1G

parte del stock: 502

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

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NTMFS4701NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT1G

parte del stock: 298

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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NTD80N02
ON Semiconductor

NTD80N02

parte del stock: 380

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 24V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 80A, 10V,

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NTD4813N-1G
ON Semiconductor

NTD4813N-1G

parte del stock: 467

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

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NTR1P02T3G
ON Semiconductor

NTR1P02T3G

parte del stock: 389

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

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IRLS640A
ON Semiconductor

IRLS640A

parte del stock: 39202

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 4.9A, 5V,

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NTD4810N-35G
ON Semiconductor

NTD4810N-35G

parte del stock: 363

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

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FDI8442
ON Semiconductor

FDI8442

parte del stock: 485

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Ta), 80A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V,

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NTD4302G
ON Semiconductor

NTD4302G

parte del stock: 317

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

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NTD4804NA-1G
ON Semiconductor

NTD4804NA-1G

parte del stock: 489

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD60N02R
ON Semiconductor

NTD60N02R

parte del stock: 337

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

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FDMS8670AS
ON Semiconductor

FDMS8670AS

parte del stock: 484

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Ta), 42A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 23A, 10V,

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FDZ4670S
ON Semiconductor

FDZ4670S

parte del stock: 492

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

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NTD3808N-1G
ON Semiconductor

NTD3808N-1G

parte del stock: 577

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 16V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

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NTP75N03-6G
ON Semiconductor

NTP75N03-6G

parte del stock: 369

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

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NTMFS4744NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4744NT3G

parte del stock: 505

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V,

De deseos
NTD50N03RT4G
ON Semiconductor

NTD50N03RT4G

parte del stock: 358

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

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FDZ7296
ON Semiconductor

FDZ7296

parte del stock: 385

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 11A, 10V,

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NTD32N06LG
ON Semiconductor

NTD32N06LG

parte del stock: 291

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

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NTD5406NT4G
ON Semiconductor

NTD5406NT4G

parte del stock: 357

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12.2A (Ta), 70A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

De deseos
NTLGF3402PT1G
ON Semiconductor

NTLGF3402PT1G

parte del stock: 389

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

De deseos
FDD6N20TF
ON Semiconductor

FDD6N20TF

parte del stock: 340

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

De deseos
FDFC2P100
ON Semiconductor

FDFC2P100

parte del stock: 330

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 4.5V,

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NTB5404NT4G
ON Semiconductor

NTB5404NT4G

parte del stock: 482

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 167A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V,

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NTD6600N-001
ON Semiconductor

NTD6600N-001

parte del stock: 300

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

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NTR4503NT3
ON Semiconductor

NTR4503NT3

parte del stock: 333

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

De deseos
NTD3813N-1G
ON Semiconductor

NTD3813N-1G

parte del stock: 541

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 16V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

De deseos
NTD78N03T4
ON Semiconductor

NTD78N03T4

parte del stock: 351

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

De deseos
NTD6600NT4G
ON Semiconductor

NTD6600NT4G

parte del stock: 6049

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

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FQB9N50CFTM
ON Semiconductor

FQB9N50CFTM

parte del stock: 338

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

De deseos
NTD65N03RG
ON Semiconductor

NTD65N03RG

parte del stock: 355

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

De deseos
FDP8878
ON Semiconductor

FDP8878

parte del stock: 572

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V,

De deseos