Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

ON Semiconductor

FDP51N25

parte del stock: 23411

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 51A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V,

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ON Semiconductor

NTB60N06LT4G

parte del stock: 855

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V,

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ON Semiconductor

FDU8780_F071

parte del stock: 691

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V,

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ON Semiconductor

FDB039N06

parte del stock: 6119

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 75A, 10V,

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ON Semiconductor

IRLM220ATF

parte del stock: 174026

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.13A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 570mA, 5V,

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FQD16N25CTM_F080

ON Semiconductor

FQD16N25CTM_F080

parte del stock: 645

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

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ON Semiconductor

FDC3512_F095

parte del stock: 6093

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 10V,

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ON Semiconductor

MTD6N15T4G

parte del stock: 602

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

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ON Semiconductor

NDS7002A_D87Z

parte del stock: 579

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

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ON Semiconductor

FDS7764A

parte del stock: 704

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FQT13N06LTF

parte del stock: 168040

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V,

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ON Semiconductor

NTMFS4837NT1G

parte del stock: 847

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 74A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

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ON Semiconductor

NTMS4705NR2G

parte del stock: 825

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

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ON Semiconductor

FQT13N06TF

parte del stock: 169448

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.4A, 10V,

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ON Semiconductor

FDB12N50UTM_WS

parte del stock: 659

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 5A, 10V,

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ON Semiconductor

NTMFS4108NT1G

parte del stock: 904

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V,

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ON Semiconductor

CPH6341-TL-E

parte del stock: 876

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 10V,

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ON Semiconductor

NTD78N03T4G

parte del stock: 813

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

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ON Semiconductor

IRFW540ATM

parte del stock: 750

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

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ON Semiconductor

FDPF20N50T

parte del stock: 23375

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 10A, 10V,

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ON Semiconductor

FQD7P06TM_F080

parte del stock: 692

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

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ON Semiconductor

NTJS4160NT1G

parte del stock: 841

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.6A, 10V,

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ON Semiconductor

NTMFS4847NAT1G

parte del stock: 701

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A (Ta), 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 11.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

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ON Semiconductor

FDA62N28

parte del stock: 570

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 280V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 62A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 31A, 10V,

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ON Semiconductor

FDMB506P

parte del stock: 657

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FDC3612_F095

parte del stock: 608

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V,

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ON Semiconductor

FDB047N10

parte del stock: 29699

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 75A, 10V,

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ON Semiconductor

FDP6670AL

parte del stock: 603

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

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ON Semiconductor

FDI040N06

parte del stock: 876

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

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ON Semiconductor

IRLR120ATF

parte del stock: 793

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 4.2A, 5V,

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ON Semiconductor

NTMFS4121NT1G

parte del stock: 816

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V,

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ON Semiconductor

NTD4858NAT4G

parte del stock: 707

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

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ON Semiconductor

SFW9Z34TM

parte del stock: 706

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

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ON Semiconductor

NDT454P

parte del stock: 101089

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.9A, 10V,

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ON Semiconductor

FDC655AN

parte del stock: 569

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.3A, 10V,

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ON Semiconductor

FQPF47P06

parte del stock: 22005

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

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