Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,
Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,
Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 3300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 300mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 300mA, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,
Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,
Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,