Diodos - Rectificadores - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 21

MBRH200100R

parte del stock: 2515

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH200150

parte del stock: 2450

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/12

parte del stock: 3049

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 165A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN71/14

parte del stock: 12932

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 95A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S150M

parte del stock: 2508

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 150A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16KR05

parte del stock: 12913

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16MR05

parte del stock: 12877

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MURH10060

parte del stock: 3613

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 110ns,

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GeneSiC Semiconductor

S6K

parte del stock: 15122

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6JR05

parte del stock: 12903

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3580R

parte del stock: 5654

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 80V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 35A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 35A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH240100R

parte del stock: 85

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 240A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/08

parte del stock: 3057

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 165A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR71/16

parte del stock: 9641

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 95A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6DR02

parte del stock: 13694

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S70JR

parte del stock: 9627

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 70A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 70A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40DR05

parte del stock: 9986

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3520R

parte del stock: 5703

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 35A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 35A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20030R

parte del stock: 2602

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S12J

parte del stock: 14955

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3535

parte del stock: 5726

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 35V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 35A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 35A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/18

parte del stock: 3078

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 165A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/18

parte del stock: 3741

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 165A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR70DR05

parte del stock: 9635

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 70A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24020R

parte del stock: 125

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 240A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6AR05

parte del stock: 15920

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKR240/04

parte del stock: 2385

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 320A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6D

parte del stock: 23917

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16Q

parte del stock: 12884

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16JR

parte del stock: 12966

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR70D05

parte del stock: 9641

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 70A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKN240/18

parte del stock: 2375

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 165A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70KR

parte del stock: 9584

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 70A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 70A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300DR

parte del stock: 1972

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320K

parte del stock: 2022

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 320A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2540R

parte del stock: 9606

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 25A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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