Diodos - Rectificadores - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 21

S400KR

parte del stock: 2009

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 400A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

SD4145

parte del stock: 6509

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12M05

parte del stock: 9525

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85YR

parte del stock: 7151

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 85A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

parte del stock: 28962

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

parte del stock: 37909

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 1A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

parte del stock: 1555

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S40Q

parte del stock: 7175

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

parte del stock: 5989

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 85A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70G02

parte del stock: 9642

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 70A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

parte del stock: 2856

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S300YR

parte del stock: 1824

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40B

parte del stock: 11196

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

parte del stock: 17999

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

parte del stock: 4212

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 80A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30J02

parte del stock: 7131

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

parte del stock: 2177

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85VR

parte del stock: 7084

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 85A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

parte del stock: 4392

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 35A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 35A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

parte del stock: 5997

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 85A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85Q

parte del stock: 7124

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 85A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40KR

parte del stock: 8348

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40G02

parte del stock: 7130

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

parte del stock: 2457

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 120A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 120A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

parte del stock: 1505

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

parte del stock: 2179

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

parte del stock: 771

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 50A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

parte del stock: 7134

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

parte del stock: 7177

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

parte del stock: 1373

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

parte del stock: 7175

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 70A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR30G02

parte del stock: 7099

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85JR

parte del stock: 7155

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 85A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3545

parte del stock: 4428

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 35A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 35A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300Y

parte del stock: 1833

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85J

parte del stock: 7670

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 85A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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