Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 12

DMPH6050SSD-13

parte del stock: 115772

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMC10A816N8TC

parte del stock: 169825

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN1250UFEL-7

parte del stock: 191350

Tipo de FET: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMN6A25DN8TA

parte del stock: 101872

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMN4026SSDQ-13

parte del stock: 155222

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMS3017SSD-13

parte del stock: 185603

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN3033LSD-13

parte del stock: 155650

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC6040SSDQ-13

parte del stock: 175181

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP2035UTS-13

parte del stock: 121298

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.04A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP3048LSD-13

parte del stock: 155

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG4932LSD-13

parte del stock: 198063

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP6050SSD-13

parte del stock: 126823

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN6022SSD-13

parte del stock: 175957

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), 14A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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DMC4029SK4-13

parte del stock: 187840

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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DMG6301UDW-13

parte del stock: 187231

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 240mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMC4A16DN8TA

parte del stock: 141777

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A (Ta), 4.7A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA (Min),

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ZXMP6A18DN8TA

parte del stock: 69255

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMHC4035LSDQ-13

parte del stock: 148621

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC3730UFL3-7

parte del stock: 145530

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A, 700mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ-13

parte del stock: 133992

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, 2.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP6110SSD-13

parte del stock: 102694

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN6070SSD-13

parte del stock: 104685

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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DMTH6016LSD-13

parte del stock: 190248

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2028UFDH-7

parte del stock: 132521

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG4822SSD-13

parte del stock: 199433

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG6898LSD-13

parte del stock: 109166

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC6040SSD-13

parte del stock: 146822

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, 3.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8TC

parte del stock: 158542

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.39A, 1.28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG6301UDW-7

parte del stock: 168789

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 240mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC3016LDV-13

parte del stock: 172087

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2990UDJQ-7

parte del stock: 147861

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMNH6042SSD-13

parte del stock: 182552

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16.7A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2004DWKQ-7

parte del stock: 114141

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 540mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC4029SSD-13

parte del stock: 193

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 6.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC3016LNS-13

parte del stock: 179652

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 6.8A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMP6A17DN8TA

parte del stock: 113419

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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