Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | N and P-Channel Complementary |
Característica FET | Logic Level Gate |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250mA (Min) |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V |
Potencia - Max | 2.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SO |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |