Transistores - FET, MOSFET - Matrices

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Transistores - FET, MOSFET - Matrices

Diodes Incorporated

2N7002VAC-7

parte del stock: 194320

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DWA-7

parte del stock: 2849

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002V-7

parte del stock: 3285

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DW-7

parte del stock: 2713

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002VA-7

parte del stock: 2624

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002VC-7

parte del stock: 118433

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002VA-7-F

parte del stock: 32301

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DWQ-7-F

parte del stock: 140472

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

2N7002DW-7-F

parte del stock: 166409

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS8402DWQ-7

parte del stock: 194681

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 115mA, 130mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS138DWQ-7

parte del stock: 137105

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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BSS138DWQ-13

parte del stock: 113029

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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BSS138DW-7-F

parte del stock: 105835

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS84V-7

parte del stock: 195633

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 130mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

BSS8402DW-7

parte del stock: 2712

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 115mA, 130mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS84DW-7

parte del stock: 2665

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 130mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

BSS138DW-7

parte del stock: 2708

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS8402DW-7-F

parte del stock: 183344

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 115mA, 130mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

BSS84DW-7-F

parte del stock: 147379

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 130mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN62D0UDW-13

parte del stock: 155691

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN21D1UDA-7B

parte del stock: 144

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 455mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMP6A16DN8QTA

parte del stock: 85500

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMC3025LNS-13

parte del stock: 159648

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2990UDJQ-7

parte del stock: 178697

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 450mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN601VKQ-7

parte del stock: 118878

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 305mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2008LFU-7

parte del stock: 177281

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A,

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Diodes Incorporated

ZXMC3A16DN8TA

parte del stock: 87629

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, 4.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMGD7N45SSD-13

parte del stock: 105022

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 450V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMC4047LSD-13

parte del stock: 107463

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 5.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMNH6022SSD-13

parte del stock: 191300

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A, 22.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN61D8LVT-7

parte del stock: 191757

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 630mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN2022UNS-13

parte del stock: 159447

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.7A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN1006UCA6-7

parte del stock: 141

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN1002UCA6-7

parte del stock: 56

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard,

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Diodes Incorporated

DMNH4015SSD-13

parte del stock: 191364

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2023UCB4-7

parte del stock: 119

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 24V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

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