Transistores - FET, MOSFET - Matrices

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Transistores - FET, MOSFET - Matrices

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

parte del stock: 261

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 34A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

parte del stock: 446

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 278A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

parte del stock: 2107

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

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APTMC170AM30CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

parte del stock: 139

Tipo de FET: 2 N Channel (Phase Leg), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1700V (1.7kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

parte del stock: 1065

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

parte del stock: 381

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 208A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

parte del stock: 433

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 317A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

parte del stock: 940

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 139A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

parte del stock: 1470

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 70A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

parte del stock: 1719

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 36A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

parte del stock: 1728

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

parte del stock: 599

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

parte del stock: 489

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 175A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

parte del stock: 743

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Super Junction, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 49A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

parte del stock: 1759

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

parte del stock: 248

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 72A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

parte del stock: 545

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 51A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

parte del stock: 688

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 72A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

parte del stock: 820

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 278A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

parte del stock: 1479

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 39A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

parte del stock: 1300

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 49A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

parte del stock: 1022

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

parte del stock: 2362

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

parte del stock: 667

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 46A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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APTMC120AM20CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

parte del stock: 173

Tipo de FET: 2 N Channel (Phase Leg), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 143A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM120A20DG

parte del stock: 538

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

parte del stock: 293

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 49A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

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APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

parte del stock: 251

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 74A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA,

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APTM50DDAM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

parte del stock: 1269

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 51A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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APTC60DDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

parte del stock: 1114

Tipo de FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Característica FET: Super Junction, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 95A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

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APTM10DSKM19T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

parte del stock: 1965

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 70A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

parte del stock: 553

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Para su lista

APTC60DDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

parte del stock: 1722

Tipo de FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Característica FET: Super Junction, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 49A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM100H18FG

parte del stock: 404

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V (1kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 43A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

parte del stock: 784

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V (1kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

parte del stock: 537

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 104A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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