Transistores - FET, MOSFET - Matrices

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Transistores - FET, MOSFET - Matrices

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8801

parte del stock: 2932

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7600_001

parte del stock: 2948

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 900mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4813_002

parte del stock: 2925

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO5804EL

parte del stock: 2976

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4606L_DELTA

parte del stock: 3321

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4606L

parte del stock: 2899

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO5600EL

parte del stock: 2971

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 600mA, 500mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7812

parte del stock: 2939

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7932_101

parte del stock: 2926

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, 8.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6920_001

parte del stock: 2964

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A, 26.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON4807_001

parte del stock: 2926

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5820_101

parte del stock: 2917

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON4605_001

parte del stock: 2976

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, 3.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3816_101

parte del stock: 2894

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2801L#A

parte del stock: 2910

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8822#A

parte del stock: 2896

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926BL

parte del stock: 2902

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8814#A

parte del stock: 3370

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8810#A

parte del stock: 2910

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8804_100

parte del stock: 2966

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8801L

parte del stock: 2934

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6808_101

parte del stock: 2934

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804A_101

parte del stock: 2888

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6800L_003

parte del stock: 2966

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6802L_001

parte del stock: 3346

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6601_001

parte del stock: 2917

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, 2.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4924L

parte del stock: 2906

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4914L

parte del stock: 2904

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4914_101

parte del stock: 2904

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4884L_001

parte del stock: 2962

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4852L

parte del stock: 2894

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4854L_102

parte del stock: 2971

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4850L

parte del stock: 2977

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4842L

parte del stock: 2887

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4828L

parte del stock: 2944

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4830L

parte del stock: 2941

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

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