Menu
españolespañol
RFQ / orden
0RFQ / orden

Transistores - FET, MOSFET - Matrices

APTM20AM08FTG
Microsemi Corporation

APTM20AM08FTG

parte del stock: 774

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 208A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Para su lista
APTC80A15SCTG
Microsemi Corporation

APTC80A15SCTG

parte del stock: 987

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Para su lista
APTM10DHM05G
Microsemi Corporation

APTM10DHM05G

parte del stock: 750

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 278A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Para su lista
APTM50HM75STG
Microsemi Corporation

APTM50HM75STG

parte del stock: 723

Tipo de FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 46A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Para su lista
APTM20AM04FG
Microsemi Corporation

APTM20AM04FG

parte del stock: 346

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 372A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Para su lista
APTC60AM18SCG
Microsemi Corporation

APTC60AM18SCG

parte del stock: 415

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 143A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA,

Para su lista
APTM100A13SG
Microsemi Corporation

APTM100A13SG

parte del stock: 445

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V (1kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 65A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Para su lista
APTM50AM24SG
Microsemi Corporation

APTM50AM24SG

parte del stock: 446

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 150A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Para su lista
APTMC120AM55CT1AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM55CT1AG

parte del stock: 412

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Silicon Carbide (SiC), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),

Para su lista
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD110902SAL

parte del stock: 21932

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (Max) @ Id: 220mV @ 1µA,

Para su lista
ALD210800SCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD210800SCL

parte del stock: 17949

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

Para su lista
ALD114804APCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD114804APCL

parte del stock: 14870

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

Para su lista
ALD310700APCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700APCL

parte del stock: 13522

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

Para su lista
ALD212900PAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD212900PAL

parte del stock: 23559

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 20µA,

Para su lista
ALD110800APCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800APCL

parte del stock: 15218

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 10mV @ 1µA,

Para su lista
ALD210800APCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD210800APCL

parte del stock: 15066

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (Max) @ Id: 10mV @ 10µA,

Para su lista
ALD310708SCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708SCL

parte del stock: 17113

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA,

Para su lista
ALD110900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD110900ASAL

parte del stock: 17725

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 10mV @ 1µA,

Para su lista
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1103SBL

parte del stock: 17011

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40mA, 16mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

Para su lista
ALD110900APAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD110900APAL

parte del stock: 17727

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 10mV @ 1µA,

Para su lista
ALD110914SAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD110914SAL

parte del stock: 25345

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA,

Para su lista
ALD1117SAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1117SAL

parte del stock: 27705

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Para su lista
ALD110814SCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD110814SCL

parte del stock: 20011

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA,

Para su lista
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1101SAL

parte del stock: 18884

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

Para su lista
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1101PAL

parte del stock: 18832

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

Para su lista
ALD110908ASAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908ASAL

parte del stock: 20498

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 810mV @ 1µA,

Para su lista
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1105SBL

parte del stock: 23424

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Para su lista
ALD1115PAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115PAL

parte del stock: 27731

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Para su lista
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102PAL

parte del stock: 18849

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

Para su lista
ALD1117PAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1117PAL

parte del stock: 27717

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Para su lista
ALD114835SCL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD114835SCL

parte del stock: 17031

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA,

Para su lista
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1101ASAL

parte del stock: 12357

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

Para su lista
ALD1116PAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1116PAL

parte del stock: 27729

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Para su lista
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1106PBL

parte del stock: 23410

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Para su lista
ALD111933SAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933SAL

parte del stock: 23136

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,

Para su lista
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1106SBL

parte del stock: 23429

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Para su lista