Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 18

SIA928DJ-T1-GE3

parte del stock: 170673

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SQJ951EP-T1_GE3

parte del stock: 123902

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SQ4917EY-T1_GE3

parte del stock: 91342

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SIA519EDJ-T1-GE3

parte del stock: 128968

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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SIA922EDJ-T1-GE3

parte del stock: 104410

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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SI9926CDY-T1-E3

parte del stock: 125202

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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SQJ974EP-T1_GE3

parte del stock: 141603

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI5504BDC-T1-GE3

parte del stock: 163985

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI7288DP-T1-GE3

parte del stock: 108168

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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SI7900AEDN-T1-E3

parte del stock: 97121

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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SI4214DDY-T1-GE3

parte del stock: 102448

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI5935CDC-T1-GE3

parte del stock: 154777

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI5936DU-T1-GE3

parte del stock: 193614

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SI1025X-T1-GE3

parte del stock: 121434

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 190mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI9926CDY-T1-GE3

parte del stock: 111109

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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SQJ504EP-T1_GE3

parte del stock: 2528

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI4816BDY-T1-GE3

parte del stock: 93645

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 8.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI9945BDY-T1-GE3

parte del stock: 172002

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SQJ244EP-T1_GE3

parte del stock: 2521

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI6562CDQ-T1-GE3

parte del stock: 161237

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.7A, 6.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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SI6913DQ-T1-GE3

parte del stock: 172370

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA,

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SI4936CDY-T1-GE3

parte del stock: 170890

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SQJ202EP-T1_GE3

parte del stock: 136680

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, 60A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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SI7946ADP-T1-GE3

parte del stock: 2605

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.7A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

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SI4943CDY-T1-GE3

parte del stock: 89672

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI7232DN-T1-GE3

parte del stock: 199705

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI7938DP-T1-GE3

parte del stock: 98652

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI1900DL-T1-E3

parte del stock: 163022

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 590mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SQJ980AEP-T1_GE3

parte del stock: 152466

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI7994DP-T1-GE3

parte del stock: 37667

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI4559ADY-T1-E3

parte del stock: 141967

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, 3.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SQ9945BEY-T1_GE3

parte del stock: 163985

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI7922DN-T1-E3

parte del stock: 86587

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

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SIA923AEDJ-T1-GE3

parte del stock: 138927

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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SQJ968EP-T1_GE3

parte del stock: 165139

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23.5A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33.6 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SIZ710DT-T1-GE3

parte del stock: 110666

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A, 35A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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