Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 18

SI4913DY-T1-E3

parte del stock: 2758

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA,

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SIB914DK-T1-GE3

parte del stock: 2810

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

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SI4226DY-T1-E3

parte del stock: 2801

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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SI7270DP-T1-GE3

parte del stock: 139888

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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SI1035X-T1-E3

parte del stock: 2711

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA, 145mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min),

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SI5902DC-T1-E3

parte del stock: 2714

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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SI6925ADQ-T1-E3

parte del stock: 2762

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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SI7945DP-T1-E3

parte del stock: 2759

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI6967DQ-T1-E3

parte del stock: 2864

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

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SIA915DJ-T1-GE3

parte del stock: 188602

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SI1024X-T1-E3

parte del stock: 3329

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 485mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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SI1988DH-T1-E3

parte del stock: 3369

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI5980DU-T1-GE3

parte del stock: 2827

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 567 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

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SI7946DP-T1-GE3

parte del stock: 2835

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

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SQ9945AEY-T1-E3

parte del stock: 2873

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SIZ920DT-T1-GE3

parte del stock: 87034

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI5933CDC-T1-E3

parte del stock: 194649

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SIA914DJ-T1-GE3

parte del stock: 2803

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI1967DH-T1-E3

parte del stock: 177519

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI7218DN-T1-E3

parte del stock: 159065

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SQJ914EP-T1_GE3

parte del stock: 2508

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI5948DU-T1-GE3

parte del stock: 153924

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SIS990DN-T1-GE3

parte del stock: 178823

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

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SI7220DN-T1-E3

parte del stock: 82356

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SQJ946EP-T1_GE3

parte del stock: 173017

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SIS903DN-T1-GE3

parte del stock: 2575

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SIA921EDJ-T4-GE3

parte del stock: 178268

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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SI5504BDC-T1-E3

parte del stock: 163999

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SIS932EDN-T1-GE3

parte del stock: 2519

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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SQJB90EP-T1_GE3

parte del stock: 141525

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

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SI4564DY-T1-GE3

parte del stock: 118890

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, 9.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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SQ4920EY-T1_GE3

parte del stock: 97887

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI3993CDV-T1-GE3

parte del stock: 136053

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SI4559ADY-T1-GE3

parte del stock: 141946

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, 3.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI3932DV-T1-GE3

parte del stock: 199469

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SQ1912AEEH-T1_GE3

parte del stock: 2494

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 800mA (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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