Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

SI4850EY-T1-E3

parte del stock: 107360

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

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SUM85N15-19-E3

parte del stock: 21174

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 30A, 10V,

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SI1416EDH-T1-GE3

parte del stock: 158008

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.1A, 10V,

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SI2369DS-T1-GE3

parte del stock: 110004

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.4A, 10V,

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SIHB24N65ET5-GE3

parte del stock: 8323

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

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SI3437DV-T1-E3

parte del stock: 195409

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

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SI4435DDY-T1-GE3

parte del stock: 150412

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

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IRF9510STRLPBF

parte del stock: 98611

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

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SI2343DS-T1-E3

parte del stock: 188197

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

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SI7716ADN-T1-GE3

parte del stock: 180871

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI1077X-T1-GE3

parte del stock: 165803

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 1.8A, 4.5V,

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SI7157DP-T1-GE3

parte del stock: 106667

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

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SI2328DS-T1-GE3

parte del stock: 115518

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.15A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 10V,

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SUM50020E-GE3

parte del stock: 8142

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 7.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

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SIHB22N60ET5-GE3

parte del stock: 8223

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

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SQ2389ES-T1_GE3

parte del stock: 193825

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 10A, 10V,

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SQ2361ES-T1_GE3

parte del stock: 142939

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 177 mOhm @ 2.4A, 10V,

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SI7117DN-T1-E3

parte del stock: 61561

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.17A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

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SIE812DF-T1-E3

parte del stock: 40390

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

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IRLD120PBF

parte del stock: 87218

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 780mA, 5V,

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SIA468DJ-T1-GE3

parte del stock: 130444

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 37.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 11A, 10V,

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SIHB23N60E-GE3

parte del stock: 33737

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 12A, 10V,

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SIHP24N65EF-GE3

parte del stock: 22721

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

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SIHB33N60ET1-GE3

parte del stock: 8399

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

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SQP100P06-9M3L_GE3

parte del stock: 5649

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

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SI7374DP-T1-E3

parte del stock: 43956

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 23.8A, 10V,

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SQV120N10-3M8_GE3

parte del stock: 8171

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ4840EY-T1_GE3

parte del stock: 46405

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

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SIE818DF-T1-GE3

parte del stock: 35077

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 16A, 10V,

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SI7106DN-T1-E3

parte del stock: 141968

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

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SIHH27N60EF-T1-GE3

parte del stock: 8391

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 29A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 13.5A, 10V,

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SUM45N25-58-E3

parte del stock: 37140

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 45A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 20A, 10V,

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SUM90142E-GE3

parte del stock: 37829

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 7.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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SIHH26N60EF-T1-GE3

parte del stock: 19158

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 141 mOhm @ 13A, 10V,

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SQP120N10-09_GE3

parte del stock: 8350

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 30A, 10V,

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SI1013X-T1-GE3

parte del stock: 181822

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 350mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V,

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