Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

Vishay Siliconix

IRF630PBF

parte del stock: 61030

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1069X-T1-GE3

parte del stock: 167518

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SIHP24N65E-GE3

parte del stock: 11654

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

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SI5415AEDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5415AEDU-T1-GE3

parte del stock: 192191

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI7116DN-T1-E3

parte del stock: 74965

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR9214PBF

parte del stock: 46648

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

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SIA415DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA415DJ-T1-GE3

parte del stock: 182929

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

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SUD19P06-60L-E3

Vishay Siliconix

SUD19P06-60L-E3

parte del stock: 125159

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJ486EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ486EP-T1_GE3

parte del stock: 165181

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 51A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHG33N60E-GE3

parte del stock: 9978

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

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SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA418DJ-T1-GE3

parte del stock: 115181

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V,

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SI3443BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-E3

parte del stock: 115293

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI7119DN-T1-E3

parte del stock: 164009

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1A, 10V,

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SIA444DJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA444DJT-T1-GE3

parte del stock: 190064

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.4A, 10V,

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SIE868DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE868DF-T1-GE3

parte del stock: 60974

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 20A, 10V,

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SI4186DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4186DY-T1-GE3

parte del stock: 135918

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

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SI5404BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5404BDC-T1-E3

parte del stock: 105827

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

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SI7164DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7164DP-T1-GE3

parte del stock: 63494

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.25 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFP27N60KPBF

parte del stock: 8963

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 27A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 16A, 10V,

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SI2319CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319CDS-T1-GE3

parte del stock: 166284

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3.1A, 10V,

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SIR892DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR892DP-T1-GE3

parte del stock: 54262

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHP22N60E-GE3

parte del stock: 16471

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

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SUD50N06-09L-E3

Vishay Siliconix

SUD50N06-09L-E3

parte del stock: 54264

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ476EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ476EP-T1_GE3

parte del stock: 119114

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 10A, 10V,

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SIR422DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR422DP-T1-GE3

parte del stock: 139862

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

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SI2306BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2306BDS-T1-E3

parte del stock: 125659

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.16A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI7141DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7141DP-T1-GE3

parte del stock: 65801

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

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SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ459EP-T1_GE3

parte del stock: 136666

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 52A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI7655ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7655ADN-T1-GE3

parte del stock: 178778

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ2315ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2315ES-T1_GE3

parte del stock: 126329

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI3442BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-E3

parte del stock: 121173

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

De deseos

Vishay Siliconix

SIHG22N65E-GE3

parte del stock: 12610

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

De deseos

SIE810DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE810DF-T1-GE3

parte del stock: 40414

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

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SISA18ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA18ADN-T1-GE3

parte del stock: 138151

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJ456EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

parte del stock: 29509

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 9.3A, 10V,

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SIHH14N65EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH14N65EF-T1-GE3

parte del stock: 25762

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 271 mOhm @ 7A, 10V,

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