Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

SIA448DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

parte del stock: 169988

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

parte del stock: 1527

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

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SI4434DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

parte del stock: 68716

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

parte del stock: 1532

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

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SIE832DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

parte del stock: 43943

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRLZ14S

parte del stock: 1538

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

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SI4386DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

parte del stock: 159083

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR210PBF

parte del stock: 69131

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

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SQ4182EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

parte del stock: 10824

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

parte del stock: 73600

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

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SI4412ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

parte del stock: 1496

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

parte del stock: 108121

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

parte del stock: 1524

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

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SUD35N05-26L-E3

Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

parte del stock: 1474

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

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SI4425BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

parte del stock: 78344

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF9530PBF

parte del stock: 45568

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

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SI4800BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

parte del stock: 126818

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

parte del stock: 159052

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

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SI4100DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

parte del stock: 125140

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

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SUD23N06-31L-E3

Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

parte del stock: 118954

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

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SI4010DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

parte del stock: 167778

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 31.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRL520PBF

parte del stock: 63689

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

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SI4831BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

parte del stock: 1596

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

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SI9433BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

parte del stock: 100195

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.7V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

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SQ4425EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

parte del stock: 10789

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

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SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

parte del stock: 10770

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI4103DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

parte del stock: 10820

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

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SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

parte del stock: 10837

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

parte del stock: 29452

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

De deseos

SIHH28N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

parte del stock: 10451

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 29A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

parte del stock: 1502

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

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SI7790DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

parte del stock: 49817

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

De deseos

SI4884BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

parte del stock: 128225

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

parte del stock: 1584

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

De deseos

SUD50N06-07L-E3

Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

parte del stock: 1499

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 96A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos

SI4143DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

parte del stock: 81402

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

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