Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

IRFZ20PBF

parte del stock: 42371

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SUD50N03-12P-GE3

parte del stock: 2089

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFP350PBF

parte del stock: 23402

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 9.6A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRF9Z34SPBF

parte del stock: 39834

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRLD014PBF

parte del stock: 72561

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 5V,

De deseos

Vishay Siliconix

SQD50N10-8M9L_GE3

parte del stock: 101651

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 15A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SQD100N04-3M6L_GE3

parte del stock: 8690

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

VQ1004P-2

parte del stock: 1834

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRLR014PBF

parte del stock: 77107

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFPS40N60K

parte del stock: 1794

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 24A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRLZ14SPBF

parte del stock: 40509

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRL640STRLPBF

parte del stock: 76657

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFD120PBF

parte del stock: 69150

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 780mA, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRLR014TRPBF

parte del stock: 157139

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

De deseos

Vishay Siliconix

SIHB12N65E-GE3

parte del stock: 48542

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SIA453EDJ-T1-GE3

parte del stock: 121596

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFPS38N60L

parte del stock: 1814

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 23A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SI4866BDY-T1-E3

parte del stock: 147289

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRLU024PBF

parte del stock: 39816

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFU9210PBF

parte del stock: 91345

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SUD50P04-08-GE3

parte del stock: 110089

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 22A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRF9Z10PBF

parte del stock: 40549

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SI4488DY-T1-GE3

parte del stock: 91524

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SIR646DP-T1-GE3

parte del stock: 1788

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFD213

parte del stock: 1832

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 450mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SUD19P06-60-E3

parte del stock: 139861

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SUD50N03-06AP-E3

parte del stock: 98705

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFZ14SPBF

parte del stock: 43353

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SIB410DK-T1-GE3

parte del stock: 144944

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRF830PBF

parte del stock: 59107

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SQD40030E_GE3

parte del stock: 101645

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFR220TRPBF

parte del stock: 161952

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SIRA34DP-T1-GE3

parte del stock: 107713

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SI1489EDH-T1-GE3

parte del stock: 160804

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.2V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 3A, 4.5V,

De deseos

Vishay Siliconix

IRFP22N60K

parte del stock: 1815

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 13A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SQ2319ES-T1-GE3

parte del stock: 1819

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V,

De deseos