Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.75V ~ 5.25V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.75V ~ 5.25V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 12.6V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.6V, 2.65V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 3.5V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 12.6V,
