Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 2

STS4DNF30L

parte del stock: 2904

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STC5DNF30V

parte del stock: 2708

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

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STMicroelectronics

STC5NF30V

parte del stock: 2697

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS8DNH3LL

parte del stock: 2618

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS4DPF30L

parte del stock: 107386

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS3DPF60L

parte del stock: 2674

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS1DNC45

parte del stock: 85375

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 450V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 400mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS8DNF3LL

parte del stock: 136676

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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