Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 85ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 512Mb (64M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 50ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 10MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 200ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 50MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms, 15ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 512Mb (64M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 50ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 128Kb (16K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 512Mb (64M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 50ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Asynchronous, Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Asynchronous, Tamaño de la memoria: 2Mb (128K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Frecuencia de reloj: 2MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 10ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (128 x 16), Frecuencia de reloj: 2MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH, Tamaño de la memoria: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 110ns,
