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Memoria

M95040-WMN6T
STMicroelectronics

M95040-WMN6T

parte del stock: 1124

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 20MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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M27C4001-12C1
STMicroelectronics

M27C4001-12C1

parte del stock: 8120

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8),

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M93C66-WMN6
STMicroelectronics

M93C66-WMN6

parte del stock: 1291

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Frecuencia de reloj: 2MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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M93C86-MN6T
STMicroelectronics

M93C86-MN6T

parte del stock: 1149

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Frecuencia de reloj: 2MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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M27C4001-12F1
STMicroelectronics

M27C4001-12F1

parte del stock: 8066

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - UV, Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8),

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M27C256B-15F1
STMicroelectronics

M27C256B-15F1

parte del stock: 7990

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - UV, Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8),

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M27C1001-12C1
STMicroelectronics

M27C1001-12C1

parte del stock: 7518

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8),

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M48Z35Y-70MH1E
STMicroelectronics

M48Z35Y-70MH1E

parte del stock: 1639

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,

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M27C512-12C1
STMicroelectronics

M27C512-12C1

parte del stock: 823

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 512Kb (64K x 8),

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M24C64-WMN6T
STMicroelectronics

M24C64-WMN6T

parte del stock: 9345

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 64Kb (8K x 8), Frecuencia de reloj: 1MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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M93C66-MN6
STMicroelectronics

M93C66-MN6

parte del stock: 1331

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Frecuencia de reloj: 2MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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M24C02-WDW6T
STMicroelectronics

M24C02-WDW6T

parte del stock: 9231

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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DSM2180F3-90K6
STMicroelectronics

DSM2180F3-90K6

parte del stock: 7463

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH, Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8),

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M48Z12-200PC1
STMicroelectronics

M48Z12-200PC1

parte del stock: 1521

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnología: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño de la memoria: 16Kb (2K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 200ns,

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M27C4001-10F1
STMicroelectronics

M27C4001-10F1

parte del stock: 8024

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - UV, Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8),

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M29W800DB90N6T
STMicroelectronics

M29W800DB90N6T

parte del stock: 9214

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 90ns,

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M27C512-15B1
STMicroelectronics

M27C512-15B1

parte del stock: 8241

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 512Kb (64K x 8),

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M58LW032D110ZA6
STMicroelectronics

M58LW032D110ZA6

parte del stock: 9031

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

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M27C4001-15C1
STMicroelectronics

M27C4001-15C1

parte del stock: 8145

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8),

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M34C02-LDW6TP
STMicroelectronics

M34C02-LDW6TP

parte del stock: 6103

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 10ms,

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DSM2180F3V-15T6
STMicroelectronics

DSM2180F3V-15T6

parte del stock: 7464

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH, Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8),

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M27C256B-90C1
STMicroelectronics

M27C256B-90C1

parte del stock: 8016

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8),

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M27C1001-10C1
STMicroelectronics

M27C1001-10C1

parte del stock: 7461

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8),

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M24C04-WDW6T
STMicroelectronics

M24C04-WDW6T

parte del stock: 9276

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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M93C46-BN6
STMicroelectronics

M93C46-BN6

parte del stock: 1072

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Frecuencia de reloj: 2MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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M68AW512ML70ND6
STMicroelectronics

M68AW512ML70ND6

parte del stock: 9087

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Asynchronous, Tamaño de la memoria: 8Mb (512K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,

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M24C02-WBN6
STMicroelectronics

M24C02-WBN6

parte del stock: 9460

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia de reloj: 400kHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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NAND01GW3B2AN6E
STMicroelectronics

NAND01GW3B2AN6E

parte del stock: 5796

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 30ns,

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M27C256B-70C1
STMicroelectronics

M27C256B-70C1

parte del stock: 7936

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8),

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M27C512-12B1
STMicroelectronics

M27C512-12B1

parte del stock: 8221

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 512Kb (64K x 8),

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M28W320CT90N6
STMicroelectronics

M28W320CT90N6

parte del stock: 8718

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (2M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 90ns,

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M27C4001-10B1
STMicroelectronics

M27C4001-10B1

parte del stock: 8075

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8),

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M27C1001-15B1
STMicroelectronics

M27C1001-15B1

parte del stock: 830

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - OTP, Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8),

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M27C512-10F1
STMicroelectronics

M27C512-10F1

parte del stock: 8225

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EPROM, Tecnología: EPROM - UV, Tamaño de la memoria: 512Kb (64K x 8),

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NAND512R3A3AZA6E
STMicroelectronics

NAND512R3A3AZA6E

parte del stock: 7641

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 512Mb (64M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 60ns,

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M93S46-WMN6
STMicroelectronics

M93S46-WMN6

parte del stock: 1217

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnología: EEPROM, Tamaño de la memoria: 1Kb (64 x 16), Frecuencia de reloj: 2MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5ms,

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