Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

STMicroelectronics

STU3LN62K3

parte del stock: 51638

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 620V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.25A, 10V,

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STMicroelectronics

STP45NF06

parte del stock: 55130

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 19A, 10V,

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STMicroelectronics

STB60NF06T4

parte del stock: 82455

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

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STMicroelectronics

STB42N60M2-EP

parte del stock: 23744

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 17A, 10V,

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STMicroelectronics

STE60N105DK5

parte del stock: 1903

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1050V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 46A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 23A, 10V,

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STMicroelectronics

STW57N65M5

parte del stock: 5021

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 21A, 10V,

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STMicroelectronics

STU80N4F6

parte del stock: 36435

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 40A, 10V,

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STMicroelectronics

STP7N60M2

parte del stock: 46389

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STQ1HN60K3-AP

parte del stock: 123790

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 400mA (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 600mA, 10V,

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STMicroelectronics

STB21NM60ND

parte del stock: 20199

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB35NF10T4

parte del stock: 72944

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STW12NK80Z

parte del stock: 14247

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.25A, 10V,

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STMicroelectronics

STF17NF25

parte del stock: 29197

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB45N50DM2AG

parte del stock: 25746

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 17.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STP30NF10

parte del stock: 44709

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 15A, 10V,

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STMicroelectronics

STW50N65DM2AG

parte del stock: 9391

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 19A, 10V,

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STMicroelectronics

STW69N65M5

parte del stock: 3411

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 58A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 29A, 10V,

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STMicroelectronics

STW34N65M5

parte del stock: 6460

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14A, 10V,

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STMicroelectronics

SCTWA50N120

parte del stock: 2914

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 65A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 40A, 20V,

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STMicroelectronics

STP10NM60N

parte del stock: 23282

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V,

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STB80NF55L-08-1

STMicroelectronics

STB80NF55L-08-1

parte del stock: 21569

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

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STMicroelectronics

STF7N60M2

parte del stock: 45817

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB180N55F3

parte del stock: 20195

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 60A, 10V,

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STMicroelectronics

STP4NK80Z

parte del stock: 40922

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB270N4F3

parte del stock: 27514

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V,

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STMicroelectronics

STP40NF10L

parte del stock: 32481

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

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STMicroelectronics

SCT30N120

parte del stock: 2560

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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STMicroelectronics

STB19NF20

parte del stock: 72888

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STP36NF06L

parte del stock: 45226

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

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STMicroelectronics

STB7N52K3

parte del stock: 64351

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 525V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 3.1A, 10V,

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STMicroelectronics

STL18N55M5

parte del stock: 1558

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 550V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A (Ta), 13A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 6A, 10V,

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STMicroelectronics

STP80NF10

parte del stock: 23718

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V,

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STMicroelectronics

STD60N3LH5

parte del stock: 1537

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 48A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 24A, 10V,

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STMicroelectronics

STD60NH03L-1

parte del stock: 1532

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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STMicroelectronics

STB12NM50N

parte del stock: 1469

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STH250N55F3-6

parte del stock: 6182

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 60A, 10V,

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