Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo, Pre-polar | Productos semiconductores discretos | 5

PDTC124TK,115

parte del stock: 1921

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA124EE,115

parte del stock: 1920

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC124EK,115

parte del stock: 2035

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC124TS,126

parte del stock: 1989

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA144TE,115

parte del stock: 3251

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTB123TS,126

parte del stock: 3227

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC143EK,115

parte del stock: 1932

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA143EK,115

parte del stock: 2057

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA144VK,115

parte del stock: 1942

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTD123TS,126

parte del stock: 1954

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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PDTA143XK,115

parte del stock: 1913

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC143EEF,115

parte del stock: 1982

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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PDTC123ES,126

parte del stock: 1997

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

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PDTB113ES,126

parte del stock: 1965

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 1 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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PDTC124ES,126

parte del stock: 1970

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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PDTA114TE,115

parte del stock: 1980

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA143XE,115

parte del stock: 1941

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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PBRP123ES,126

parte del stock: 1949

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms,

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PDTA123YS,126

parte del stock: 2027

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

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PDTA144EK,115

parte del stock: 1993

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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PDTC123JE,115

parte del stock: 1946

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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PDTB123YK,115

parte del stock: 1943

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTB123EK,115

parte del stock: 1946

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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PDTC114TK,115

parte del stock: 2044

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

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PDTA143XS,126

parte del stock: 1934

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA323TK,115

parte del stock: 1932

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 15V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PBRN123YK,115

parte del stock: 1929

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 40V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA123JE,115

parte del stock: 3222

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA143TK,115

parte del stock: 1989

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC114YK,115

parte del stock: 1920

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTD123YS,126

parte del stock: 2006

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTD123TK,115

parte del stock: 1928

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTD123YK,115

parte del stock: 1992

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC123YS,126

parte del stock: 1995

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA144WS,126

parte del stock: 1954

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC124XE,115

parte del stock: 2012

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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