Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (4), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 120 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (4), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 120 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 120 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: SPI, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: SPI, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 120 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: SPI, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Solenoids, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Bi-CMOS, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (4), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: Logic, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 120 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: DC Motors, General Purpose, Interfaz: SPI, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),