Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

PHX23NQ11T,127

parte del stock: 6275

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 110V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

De deseos

PHB193NQ06T,118

PHB193NQ06T,118

parte del stock: 2476

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

De deseos

PHP152NQ03LTA,127

PHP152NQ03LTA,127

parte del stock: 2448

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

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SI4800,518

parte del stock: 2503

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

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PHU101NQ03LT,127

PHU101NQ03LT,127

parte del stock: 2488

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

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PHB23NQ10LT,118

PHB23NQ10LT,118

parte del stock: 2543

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

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PSMN003-30B,118

PSMN003-30B,118

parte del stock: 2568

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

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PMT200EN,115

parte del stock: 2586

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 1.5A, 10V,

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PSMN020-150W,127

PSMN020-150W,127

parte del stock: 2544

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 73A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

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PHD22NQ20T,118

parte del stock: 2491

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21.1A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 12A, 10V,

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PHX23NQ10T,127

parte del stock: 2489

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

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PHD16N03LT,118

parte del stock: 2528

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 16A, 10V,

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PHD55N03LTA,118

PHD55N03LTA,118

parte del stock: 6308

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN4R6-100XS,127

PSMN4R6-100XS,127

parte del stock: 2567

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 70.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

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PHD34NQ10T,118

parte del stock: 2486

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

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PHP222NQ04LT,127

PHP222NQ04LT,127

parte del stock: 2489

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN013-100XS,127

PSMN013-100XS,127

parte del stock: 2542

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 10A, 10V,

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PHP160NQ08T,127

PHP160NQ08T,127

parte del stock: 2504

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN009-100W,127

PSMN009-100W,127

parte del stock: 2545

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

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PHX18NQ20T,127

parte del stock: 2507

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 8A, 10V,

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PHM12NQ20T,518

parte del stock: 2458

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12A, 10V,

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PH16030L,115

parte del stock: 2529

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 15A, 10V,

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PHU78NQ03LT,127

PHU78NQ03LT,127

parte del stock: 2480

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

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PHD82NQ03LT,118

PHD82NQ03LT,118

parte del stock: 2548

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

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PHP34NQ11T,127

parte del stock: 2543

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 110V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

De deseos

PHT2NQ10T,135

parte del stock: 2472

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1.75A, 10V,

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PHD18NQ10T,118

parte del stock: 2507

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V,

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PHD78NQ03LT,118

PHD78NQ03LT,118

parte del stock: 2532

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

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PHD108NQ03LT,118

PHD108NQ03LT,118

parte del stock: 2517

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

De deseos

PHP101NQ03LT,127

PHP101NQ03LT,127

parte del stock: 2470

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

De deseos

PSMN9R5-100XS,127

PSMN9R5-100XS,127

parte del stock: 2517

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 44.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

PHU108NQ03LT,127

PHU108NQ03LT,127

parte del stock: 2479

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

De deseos

PHD21N06LT,118

parte del stock: 6334

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

PHB160NQ08T,118

PHB160NQ08T,118

parte del stock: 2523

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

De deseos

IRFZ24N,127

parte del stock: 2466

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

PH3430AL,115

parte del stock: 2542

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

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