Diodos - Rectificadores - Sencillo

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Diodos - Rectificadores - Sencillo

Microsemi Corporation

APT15DQ60BG

parte del stock: 29429

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 19ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD120K

parte del stock: 6853

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ60KG

parte del stock: 44440

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 19ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ120KG

parte del stock: 35058

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 240ns,

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Microsemi Corporation

APT75DQ60BG

parte del stock: 15462

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 75A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 75A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 31ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD65K

parte del stock: 9366

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 32A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD65K

parte del stock: 12409

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 17A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT60D60BG

parte del stock: 11579

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 60A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 130ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD120B

parte del stock: 6623

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 36A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD120B

parte del stock: 4642

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 68A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT30SCD120B

parte del stock: 3455

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 99A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD120S

parte del stock: 4145

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 68A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT30S20BG

parte del stock: 18686

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 45A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT60S20BG

parte del stock: 12393

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 75A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BG

parte del stock: 24299

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

APT15D30KG

parte del stock: 1168

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 32ns,

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Microsemi Corporation

APT30S20SG

parte del stock: 532

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 45A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT60D30BG

parte del stock: 571

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 60A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 38ns,

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Microsemi Corporation

APT15D40KG

parte del stock: 614

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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Microsemi Corporation

APT15S20KG

parte del stock: 5116

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 80ns,

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Microsemi Corporation

APT40DQ60BG

parte del stock: 23953

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 40A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

APT100S20BG

parte del stock: 9524

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 120A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 70ns,

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Microsemi Corporation

APT40DQ100BG

parte del stock: 19872

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 3V @ 40A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 250ns,

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Microsemi Corporation

APT30D60BG

parte del stock: 17982

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 85ns,

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Microsemi Corporation

JANTX1N6622

parte del stock: 3139

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 660V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

JANTXV1N645-1

parte del stock: 1860

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 225V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 400mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JANTX1N3595US

parte del stock: 3443

Tipo de diodo: Standard, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tiempo de recuperación inverso (trr): 3µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N3174

parte del stock: 65

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 940A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JANTX1N3070-1

parte del stock: 1471

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 175V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 100mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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Microsemi Corporation

JANTXV1N5618

parte del stock: 5261

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

JANTX1N5551US

parte del stock: 3807

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N5802URS

parte del stock: 3415

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N3614

parte del stock: 5863

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

SBR6030L

parte del stock: 578

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 60A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JAN1N5809URS

parte del stock: 3811

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5804URS

parte del stock: 3402

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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