Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

Microsemi Corporation

2N2919U

parte del stock: 1529

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3810U

parte del stock: 2166

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N2060L

parte del stock: 2121

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N6987

parte del stock: 1248

Tipo de transistor: 4 PNP (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N6988

parte del stock: 1523

Tipo de transistor: 4 PNP (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N2919L

parte del stock: 2004

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N2920U

parte del stock: 161

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3838

parte del stock: 1633

Tipo de transistor: NPN, PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 40V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N2920L

parte del stock: 2061

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N6990

parte del stock: 1262

Tipo de transistor: 4 NPN (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N5795

parte del stock: 1968

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N2920

parte del stock: 2258

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3810L

parte del stock: 4091

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N2919

parte del stock: 2136

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3810

parte del stock: 3259

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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2N6989

parte del stock: 4437

Tipo de transistor: 4 NPN (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N3811L

parte del stock: 4456

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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2N3811U

parte del stock: 4453

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3811

parte del stock: 4521

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

parte del stock: 1050

Tipo de transistor: 4 NPN (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

SG2013J-883B

parte del stock: 1020

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

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Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

parte del stock: 4491

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Microsemi Corporation

SG2803J-883B

parte del stock: 4488

Tipo de transistor: 8 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N6988

parte del stock: 4551

Tipo de transistor: 4 PNP (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

parte del stock: 4513

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

SG2003J-883B

parte del stock: 4460

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

parte del stock: 1613

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N2919L

parte del stock: 1921

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N6987

parte del stock: 1383

Tipo de transistor: 4 PNP (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

parte del stock: 1675

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N6987

parte del stock: 1284

Tipo de transistor: 4 PNP (Quad), Corriente - Colector (Ic) (Max): 600mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

parte del stock: 163

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

parte del stock: 1620

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 30mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V,

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Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

parte del stock: 301

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

parte del stock: 980

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N2060L

parte del stock: 1262

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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